FDG6316P Paket SOT-363 MOS Field Effect Transistor

FDG6316P Paket SOT-363 MOS Field Effect Transistor

Model:FDG6316P
Merek: ON Semiconductor
Persediaan:121pcs
MOQ: 2pcs
Waktu pengiriman: 3 hari
Kirim permintaan
Obrolan Sekarang
Deskripsi

FDG6316P paket SOT-363 MOS efek medan transistor

Nomor ModelFDG6316P
Jenis FET2 P-Channel (Ganda)
Fitur FETGerbang Tingkat Logika
Tiriskan ke Sumber12V
Saat ini -700mA
Rds On (Maks) @ Id270 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id1.5V @ 250μA
Biaya Gerbang (Qg)2.4nC @ 4.5V
Kapasitansi Input146pF @ 6V
Daya - Maks300mW
Paket / Kasus6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Perangkat PemasokSC-70-6
Multinasional-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Paket Standar3,000
Nama LainFDG6316P-ND

FDG6316P paket SOT-363 MOS efek medan transistor

Tag populer: fdg6316p paket sot-363 mos efek lapangan transistor, Cina, pemasok, grosir, beli, murah, diskon, harga murah, harga murah, dalam stok

Kirim permintaan